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Qnity 啟諾迪 SEMICON Taiwan 秀先進封裝材料

啟諾迪推出可規模化的材料解決方案平台,支援新一代高密度及 3D 整合半導體系統的發展,以實現由 AI 驅動的先進封裝應用。圖/啟諾迪
啟諾迪推出可規模化的材料解決方案平台,支援新一代高密度及 3D 整合半導體系統的發展,以實現由 AI 驅動的先進封裝應用。圖/啟諾迪

本文共1109字

聯合報 記者簡永祥/台北即時報導

半導體價值鏈上領先的技術解決方案領導者 啟諾迪電子(簡稱Qnity)今日宣布推出一個可規模化的材料解決方案平台,該平台整合了金屬化(Metallization)、凸塊製程(Bumping)、介電材料(Dielectric)及精細線路圖案化(Fine-line patterning)等技術,以支援新一代高密度及 3D 整合半導體系統的發展,以實現由 AI 驅動的先進封裝應用。在此應用中,更精細的互連結構、更高密度以及更優異的製造良率,將成為決定設計能否成功擴展至量產的關鍵因素。

Qnity 啟諾迪電子互連科技總裁徐成增(Chuck Xu)表示,客戶正在尋求系統層級的整體解決方案,這正是 Qnity 啟諾迪的優勢,隨著人工智慧(AI)、小晶片(Chiplet)、高頻寬記憶體(HBM)、3D 堆疊及異質整合等技術的快速發展,半導體產業正從傳統的 2D 設計邁向日益複雜的垂直架構,製造商也因此面臨前所未有的整合挑戰,並推升市場對涵蓋先進封裝與熱管理之整合型解決方案的需求。Qnity 啟諾迪不僅是客戶的先進材料供應商,更是其設計合作夥伴,憑藉端到端的製程開發與工程技術能力,協助客戶解決從層與層之間到晶片與晶片之間的整合複雜性,並使客戶更有信心將新設計快速擴展至量產階段。」

CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate)、EMIB(Embedded Multi-die Interconnect Bridge)以及高頻寬記憶體等先進封裝平台,對電鍍層精準的高度控制及優異共平面性(Coplanarity)有極高要求。Qnity 的產品組合可支援錫銀微凸塊(SnAg micro-bump)、銅對銅(Cu-Cu)直接接合與混合接合(Direct and Hybrid Bonding),以及高解析度介電材料與微影圖案化製程,實現 2 微米線寬/線距(Line/Space)的金屬化能力,同時具備嚴謹的關鍵尺寸(Critical Dimension)控制與低缺陷率,滿足客戶對下一代先進封裝的技術需求。

Qnity 啟諾迪將於 9 月 1 日在 SEMICON Taiwan 2026 異質整合全球高峰會中,由先進電路與封裝事業部先進封裝高分子全球行銷總監莊柏堯,進行專題演講,介紹此一解決方案平台。誠摯邀請與會者與Qnity 啟諾迪的技術專家交流,共同探討形塑先進半導體封裝未來發展的關鍵趨勢與技術創新。

主要解決方案包括:Intervia CB1000+/CB3000 銅鍍液、Solderon TS8000 系列焊料鍍液、Riston WBR5000 乾膜光阻、Cyclotene乾膜感光介電材料。

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