長鑫DRAM產量大躍進 第五代技術平台裸晶數量提升50% 有助擴大市占

大陸DRAM廠長鑫科技昨（20）日在2026世界製造大會上宣布，第五代DRAM技術平台（G5平台）實現量產，核心突破在於每片晶圓產出裸晶（die）數量比第四代平台提升至少50%，並同步展出基於該平台打造的大容量LPDDR5X新品。

在無法獲得極紫外光（EUV）曝光機的外部約束下，長鑫科技靠深紫外光（DUV）四重曝光製程，把記憶體陣列有源區半間距推進到11.95奈米，接近全球頂尖DRAM量產節點。

與此同時，透過變革技術流程、採用新材料，記憶體電容深寬比達45：1。開發適配DRAM製程的高介電常數金屬柵（HKMG）技術，成功將G5平台核心功能區高度縮小到6,762奈米。這些突破能提高裸晶產出的數量。

這意味著，在不新增產線的情況下，同等晶圓投入就能產出更多晶片，直接推高DRAM產量。再疊加長鑫此前的擴產計畫，產能增長會更明顯。

長鑫目前在合肥、北京有三座12吋晶圓廠，月產能約28萬至30萬片；按計劃到2026年底，月產能預計提升至約35萬片，接近美光的同期預估產能（約38.5萬片）。‌‌

路透指出，這項進展可望提升中國大陸在全球記憶體市場實力。長鑫目前已是全球第四大DRAM供應商，G5量產有助於進一步鞏固並擴大其在全球市占，打破海外三巨頭（三星、SK海力士、美光）壟斷。

實際上，基於G5平台打造的兩款‌24Gb LPDDR5X‌已進入規模量產，較上一代同類型產品容量提升50%，分別採用496Ball和245Ball封裝，可適配中高端手機和可攜式裝置，目前已進入大陸國產主流旗艦手機。‌‌

不過，產能提升不等於良率、成本已完全優化到位。分析師指出，G5平台剛量產，良率打磨和產品矩陣拓寬仍需時間，長鑫G5平台良率爬坡預計需要12至18個月，才能從當前量產初期水準追平G4平台90%左右的成熟良率。‌

長鑫上一代G4平台（16奈米），從2024年底的80%左右良率，用了約九個月時間，提升到當前90%的成熟區間。 目前全球DRAM三巨頭的成熟節點良率普遍穩定在90%以上，長鑫G5剛量產，初期良率明顯低於這個基準線。