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研調機構Counterpoint Research最新研究指出,未來五年全球預計將有超過1.3億顆用於AI伺服器的GPU與AI ASIC,搭載先進封裝的運算端記憶體(on-compute memory),相關運算市場營收預計接近2兆美元。
Counterpoint研究團隊指出,隨著生成式AI與大型語言模型持續推升運算需求,AI半導體產業的發展重點正從提升邏輯晶片效能,進一步延伸至記憶體頻寬、晶片尺寸與資料傳輸效率等議題。
隨著AI算力需求快速成長,半導體產業面臨三項重要技術瓶頸Memory Wall(記憶體牆)、Performance Wall(效能牆)與Copper Wall(銅互連牆)。記憶體頻寬與資料搬移效率對AI加速器效能的影響日益增加,也使先進封裝、HBM及新型記憶體架構受到更多關注。
目前高階AI加速器廣泛採用HBM,並透過先進封裝提升運算晶片與記憶體之間的資料傳輸效率。以台積電CoWoS為代表的先進封裝技術廣泛應用於AI GPU與ASIC。
隨著AI晶片規模持續擴大,傳統HBM搭配矽中介層(Silicon Interposer)的架構,也需要進一步考量成本、封裝厚度、良率、產能及整體製造效率。因此,產業正探索不同技術路線,以縮短運算與記憶體之間的距離,並降低資料搬移所產生的功耗。
Counterpoint Research指出,英特爾正透過EMIB、ZAM與XBM等技術探索不同的記憶體與封裝架構。其中,EMIB已進入商用階段;ZAM著眼於HBM4世代的應用機會;XBM則進一步探索未來記憶體介面與晶片整合方式。
目前台積電在大規模製造、技術成熟度及JEDEC標準生態系方面具備既有基礎,而其他新型架構的發展與採用,仍將取決於量產進度、客戶與記憶體供應商支持,以及散熱與系統整合等因素。
除了持續改善HBM與先進封裝,AI晶片業者也開始從系統架構角度探索改善Memory Wall的方法。
高通提出High Bandwidth Compute(HBC)採取不同的設計方向。相較於傳統AI加速器將HBM與XPU配置於矽中介層上,HBC嘗試將運算晶片置於3D堆疊LPDDR記憶體下方,透過Wafer-to-Wafer Bonding,使部分運算功能更接近記憶體。此架構的核心概念在於減少資料在記憶體與運算單元之間的移動,以降低資料傳輸所產生的功耗與延遲。
從封裝角度來看,HBC不需要傳統HBM架構所使用的大型矽中介層,並可能提供不同的記憶體供應與系統設計選擇;另一方面,Wafer-to-Wafer整合也帶來製造、良率與封裝等新的技術要求。目前HBC仍處於早期發展階段。第一代產品預計於2027年中開始送樣,第二代預計於2028年推出,其實際效能、量產能力及軟體生態系仍有待後續發展與驗證。
Counterpoint Research共同創辦人兼研究副總裁Neil Shah認為,隨著AI模型規模與資料量持續增加,提升AI系統效能將不再僅依賴製程微縮與運算核心擴展,如何提高記憶體頻寬、降低資料搬移,以及改善封裝與互連效率,也將成為下一代AI運算架構的重要發展方向。
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